【值得信赖的经纪商】英特尔安装首台High NA EUV光刻机

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在英特尔看来，装首半导体创新始终是光刻一项团队合作，最持久的英特突破源于从研发到量产的深度生态系统协作。英特尔晶圆代工为其在这一进程中扮演的尔安值得信赖的经纪商领导角色而感到自豪，并已确立了其在业界的装首地位，成为唯一一家拥有本土领先逻辑芯片研发和制造能力的光刻美国公司。

今天，英特英特尔分享两个不同项目的尔安里程碑，这两个项目分别展示了公司推动行业研究和创新、装首降低先进设备概念风险以及加快为客户创造价值的光刻不同方式。

自信扩展：首台 TWINSCAN EXE:5200B 高数值孔径 EUV 安装

随着前沿工艺节点特征尺寸的英特黄金股票原油交易商不断缩小，高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术正迅速崛起，尔安成为人工智能时代极具吸引力的装首光刻技术。ASML 和 Intel Foundry 已证明，目前 最先进的光刻扫描仪在技术上可行，能够提供更高的精度和生产效率，从而使高数值孔径 EUV 技术在未来的大规模生产中占据优势。

今天，英特尔激动地宣布，英特尔和ASML已成功完成TWINSCAN EXE:5200B的“验收测试”。 这款高数值孔径（High NA）极紫外光刻机在保持第一代EXE : 5000高分辨率的同时，将产能提升至每小时175片晶圆，并将套刻精度（不同光刻层的EC Markets中文官网精确对准）提高至0.7纳米。这得益于英特尔在高数值孔径极紫外光刻领域的丰富经验，该领域始于2023年，当时全球首台商用高数值孔径极紫外光刻机交付至我们在俄勒冈州的研发中心。

EXE:5200B 的关键创新点包括以下几点：

更高功率的 EUV 光源：在实际剂量下实现更快的晶圆曝光，支持高对比度图案化的光刻胶/工艺窗口，同时最大限度地减少线边缘粗糙度和线宽粗糙度。

新型晶圆存储架架构：改进了批次物流和热/工艺稳定性，从而减轻了漂移并提高了吞吐量一致性，这对于多沟道或多曝光流程尤为重要。

更严格的对准控制：0.7纳米的套刻精度反映了平台控制、传感器校准和环境隔离方面的进步，所有这些对于客户不断突破晶体管密度极限都至关重要。

高数值孔径极紫外光刻（EUV）是英特尔晶圆代工技术库中的一项重要能力，它结合了我们在光刻、蚀刻、分辨率增强和计量等相关领域的专业技能，从而实现现代芯片所需的精细晶体管细节。对于设计人员而言，这意味着更灵活的设计规则，减少步骤和光刻掩模数量，从而简化工艺流程，提高良率，并缩短良率周期。我们仍处于探索的早期阶段，但这无疑是在探索提高客户效率和生产力的新途径方面取得的积极进展。

用于未来晶体管尺寸缩小的二维材料

英特尔强调，公司也在展望更远的未来。如今最先进的晶体管采用环绕栅极架构（英特尔晶圆代工称之为RibbonFET），将晶体管完全包裹在沟道周围。这些晶体管以单层形式集成在芯片上，我们也在努力实现晶体管的堆叠。英特尔和业内其他公司都认为，在未来的某个时刻，晶体管的尺寸将会缩小到硅原子性能开始下降的程度。

二维材料之所以得名，是因为它们能够排列成厚度仅为几个原子的薄层。例如，过渡金属二硫化物（TMD）家族中的这类材料，有望在扩展和控制电流方面展现出卓越的性能。英特尔晶圆代工及其众多合作伙伴多年来一直致力于二维材料的研究，但该行业在300毫米晶圆厂的制造工艺方面仍然面临着诸多挑战。

在上周的IEDM会议上，Imec和Intel联合展示了一种300mm可制造的2DFET源漏电极和栅堆叠模块集成方案（n型采用WS&8322;）。该方案的核心创新在于对Intel生长的高质量二维层进行选择性氧化物蚀刻，并在其上覆盖AlOx/HfO&8322;。这种工艺实现了镶嵌式顶部电极，类似于将金属嵌入沟槽或凹槽的古老技术。这是目前世界上首创的晶圆厂兼容工艺，同时还能保持底层二维沟道的完整性。

对于探索二维场效应晶体管（2DFET）的团队而言，可制造的接触和栅极模块是最大的挑战之一。我们的长期计划是通过与客户共同开发这些步骤，并将其应用于量产级集成流程，从而在实际且可扩展的工艺假设下评估二维通道，加速器件基准测试、建模和设计路径探索，并减少流片过程中可能出现的意外情况。

这一切意味着什么？

首先，严谨的整合能够将创新转化为可靠性。无论是新材料研究还是首创工具，最难的部分在于如何将物理和化学原理与工具在大规模晶圆厂中的实际性能相匹配。正是这项工作，将前景广阔的概念转化为可供客户使用的平台。

其次，开放式协作能够缩短学习曲线。通过与Imec和ASML等知名机构合作开发，并共享工艺窗口、计量数据和故障模式，我们能够加速创新，并减少整个生态系统中的重复工作。客户将受益于更快的产能爬坡、更完善的PPAC（工艺流程分析）以及更早地获得实际的设计约束。

第三，也是非常重要的一点，英特尔晶圆代工从早期研发阶段就注重可制造性。大马士革顶接触技术的突破，既是材料方面的胜利，也是晶圆厂兼容性方面的突破。同样，EXE:5200B 的生产也旨在实现影响良率和周期时间的大批量生产指标。

对于正在探索新设备架构或准备高数值孔径 EUV 关键层的客户，英特尔晶圆代工提供先进的工具以及创新方面的合作伙伴关系，并以成熟的集成专业知识和对可制造性的不懈关注为后盾。

https://community.intel.com/t5/Blogs/Intel-Foundry/Systems-Foundry-for-the-AI-Era/How-Collaboration-in-High-NA-EUV-and-Transistor-R-D-Are-Shaping/post/1730050

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